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2018上交大874半导体物理与器件基础考研真题

来源:www.sjtuky.com 作者:鸿知上交大考研网 浏览:313 次 发布时间:2018/2/10

对于准备报考上海交通大学的同学来说,往年上交大的考研真题、初试经验、复试经验等,都是极其有用的信息资料,能让你对这个学校以及选择的专业的报考难度有一定的了解,也起到一定的指导作用。2018的考研初试已告一段落,其中各专业的考研真题,是各位学子需要重点分析和思考的,首先得看看你能不能hold得住。对于考研真题,一部分学校会整理公布,而像上海交通大学,近几年基本也不再出了,那怎么办呢?别急,鸿知上交大考研网这就为准备报考上海交通大学的各位学子整理最新的18真题信息,这些回忆版考研真题,可以说是当下最温暖的指导资料了。

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2018上海交大874半导体物理与器件基础考研真题

第一题:证明题

证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为……

 

第二题3块半导体分别告诉电子浓度然后求空穴浓度判别导电类型(送温暖题但是以往卷子给的参考数据ni1.5×1010次方今年是1.0

所以发下卷子先看看参考数据什么的别用习惯了平时用的惯常数据)

 

第三题:给出一个半导体样品的空穴浓度坐标图(p(0)线性递减到po然后保持)

1)求空穴电流密度Jp(x)并画图

(2)为了抵消这些空穴电流求外加电场的表达式并画出曲线

 

第四题:锌在Si作为双重受主告知EA1EA2Ev的关系(禁带Eg已知)求若完全补偿ND等于1016次方的Si需要掺锌的浓度是?

 

第五题:(1)解释PN结势垒电容和扩散电容的形成机制以及相应特点

(2)相应的关于PN结俩类电容的计算

 

第六题:名词解释

通过复合时多余能量的释放形式可以划分为哪几种复合形式(辐射俄歇多声子)

何为半导体的磁阻效应

 

微电子器件题(3)

 

第七题:双极性二极管(BJT)的计算求阿尔法贝塔具体的东西不太记得了总之是很常规的题

第八题:关于平带电压的计算VFb

 

第九题:MOSFET题根据题目内容可以判断是不饱和情况下直接用萨之唐方程列俩个二元一次方程

求解即可求得


以上内容由鸿知上交大考研网整理发布,点击查看2018上海交通大学考研资料及真题答案

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